キオクシア「NANDフラッシュ332層技術開発

キオクシアホールディングスは20日、次世代のNAND型フラッシュメモリーを開発したと発表した。性能を示す積層数は332層と従来の218層から増やした。データ転送速度も33%高めた。データを読み込む際の電力効率も改善し、人工知能（AI）向けデータセンターなどで引き合いを見込む。

開発したのは第10世代と呼ばれる技術だ。現在の第8世代の218層品と比べてデータを入力した際の電力効率を10%、出力時は34%改善した。単位面積当たりの記憶容量は59%向上した。今後国内で生産するが、具体的な時期は未定。競合他社も300層台の次世代品の開発を進めている。

長期記憶に使うNANDはデータの記憶に使う素子を積み上げる積層化によって性能を高めてきたが、装置コストの上昇が課題となっている。キオクシアはメモリーの層ごとの記憶容量を増やす技術のほか、記憶素子を搭載したウエハーと読み書きなどを担う回路を書き込んだウエハーを別々に製造して後から貼り合わせる技術を開発している。
https://www.nikkei.com/article/DGXZQOUC202SW0Q5A220C2...

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