米マイクロン、台湾でDRAMライン増設

メモリー半導体「ビッグ3」企業米国マイクロンテクノロジーが台湾でDRAMライン増設計画を発表した。127億ドル（15兆4000億ウォン）を投資し、DRAM 1ライン（A3）を来年第4四半期までに完成する予定である。マイクロンは、市場の需要に応じて、DRAM 1ライン（A5）を追加で建設する可能性があるという立場だ。

マイクロンは今月、シンガポールNAND型フラッシュ工場竣工に続き、積極的な投資を続け、過剰設備投資に対する懸念の声が出ている。メモリー半導体のグローバル1、2位 サムスン電子（005930）とSKハイニックス（000660）は、市況を考慮して、投資速度を調節して注視する雰囲気だ。

28日、台湾中央通信（CNA）は、マイクロンが台湾中西部台中に来年第4四半期までに次世代DRAM生産のためのA3工場を建設すると報じた。別のDRAM工場であるA5は、投資地域の買収をしていると伝えられた。

マイクロンのDRAM新規ラインは、モノのインターネット（IoT）、自動車電装、5G（第5世代）移動通信市場の需要に対応するためのものである。サムスン証券は「A3は、来年第4四半期から第3世代10ナノ級（1z）DRAMを生産するだろう」とした。

サムスン電子は今年1月に2018年第4四半期の業績のカンファレンスコールで、「今年（2019年）、半導体追加増設計画はない」とし「中長期的に新規工場の建設を中心に対応する」と述べた。今年上半期の半導体設備投資規模は、10兆7000億ウォンで、昨年上半期（13兆3000億ウォン）より19％以上減少した。メモリー半導体インフラ（クリーンルーム）とEUV（極紫外線）機器などに集中している。

SKハイニックスはM10（DRAM）の生産能力を削減しながら、これを非メモリ（CMOSイメージセンサー）用に切り替える方針だ。別のDRAMラインのM15、M16の量産は遅れる見通しだ。
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